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机译:电荷陷阱层中的界面对基于ZrO_2 / Al_2O_3纳米叠层的电荷陷阱闪存存储单元存储特性的影响
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机译:存储层充电对基于50nm以下电荷陷阱的TANOS和浮栅存储单元的随机电报噪声行为的影响
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
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